场效应管测量(n沟道场效应管怎么测量)

场效应晶体管分为结型和绝缘栅型。结型场效应晶体管(JFET)是以两个PN结命名的，而绝缘栅场效应晶体管(JGFET)是以其栅极与其他电极完全绝缘命名的。目前绝缘栅场效应晶体管中，应用最广泛的是MOS场效应晶体管，简称MOS晶体管(金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET)。此外，还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应晶体管等。

根据沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型又分为沟道和p沟道两种。根据导通模式，场效应晶体管可分为耗尽型和增强型。所有结型场效应晶体管都是耗尽型，绝缘栅场效应晶体管既是耗尽型又是增强型。

场效应晶体管可分为结型场效应晶体管和MOS场效应晶体管。MOS FET分为N沟道耗尽型和增强型。p沟道耗尽型和增强型。

什么是常用的现场公用事业管，如下。

1.金属氧化物半导体场效应晶体管

即金属氧化物半导体场效应晶体管，属于绝缘栅型。它的主要特点是在金属栅和沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有较高的输入电阻。又分为N沟道管和P沟道管，通常连接衬底(基板)和源极s，根据导通模式的不同，MOSFET分为增强模式和耗尽模式。

所谓增强模式，就是当VGS=0时，管被关断，加上正确的VGS后，大部分载流子被吸引到栅极，从而“增强”这个区域的载流子，形成导电沟道。耗尽模式意味着当VGS=0时形成沟道，当加入正确的VGS时，多数载流子可以流出沟道，从而“耗尽”载流子并关断电子管。

以N沟道为例，就是在一个P型硅衬底上制作两个高掺杂浓度的源极扩散区N+和漏极扩散区N+，然后分别引出源极S和漏极D。源极和衬底内部相通，始终保持同电位。当漏极连接到电源正极，源极连接到电源负极且VGS=0时，沟道电流(即漏极电流)ID=0。随着VGS的逐渐增大，在栅极正电压的吸引下，在两个扩散区之间感应出负的少数载流子，形成从漏极到源极的N型沟道。当VGS大于晶体管的导通电压VTN(通常约+2V)时，N沟道晶体管开始导通，形成漏极电流ID。

由于MOS场效应管的输入电阻很高，而栅源间的电容很小，很容易受到外界电磁场或静电的感应而带电。然而，少量电荷会在电极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C ),从而损坏MOSFET。

所以在工厂里所有的管脚都是绞在一起或者用金属箔包起来的，这样G极和S极是等电位的，防止静电荷的积累。当管道不使用时，所有导线也应短路。测量时要格外小心，并采取相应的防静电措施。

MOS场效应晶体管的测试方法

(1)准备工作

测量前，在接触MOSFET引脚之前，将人体与地短路。最好在手腕上接一根电线接地，这样人体就能和大地保持等电位。分开针脚，然后拆下电线。

(2)测定电极

将万用表调至R×100，先确定网格。如果一条腿和另一条腿的电阻都是无穷大，证明这条腿就是g门，S-D之间的电阻值应该是几百欧姆到几千欧姆，电阻值较小时黑色探针接D极，红色探针接S极。

(3)检查放大能力(跨导)

挂G极空，黑色探针接D极，红色探针接S极，然后用手指触碰G极，双手要大幅度偏转。双栅极MOSFET具有两个栅极G1和G2。为了区分它，你可以用手触摸G1和G2电极，其中G2电极是向左偏转幅度较大的电极。

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