冯丹宇(冯丹龙)

全国人大代表、华中科技大学计算机学院院长、教授冯丹

新华网北京3月8日电(福临)全国人大代表、华中科技大学计算机学院院长、教授冯丹近日在接受新华网两会采访时表示，武汉国家存储基地2020年推出的128层QLC 3D NAND产品，实现了闪存芯片国产化，抢占了产业发展先机，是解决中国存储卡瓶颈问题的关键。现在，正在部署下一代内存技术。

存储芯片作为数据的载体，是信息社会的基石。以闪存为代表的现有存储芯片将继续在大容量、高性能、高可靠性的核心技术上取得突破，以满足互联网大数据时代数据的爆炸式增长。冯丹表示，“十三五”期间，中国集成电路产业规模持续增长，技术创新取得突破，“十四五”期间将涌现更多创新技术。下一代高速低功耗的非易失性存储器技术以及集成存储器和计算芯片技术将成为新的发展趋势。

高端芯片的设计和生产是一个系统工程，涉及材料、机械、微纳技术、微电子、计算机等多个学科。冯丹指出，目前存储芯片还处于补短板、追赶的阶段，缺乏先进的技术和领先的人才，这是现阶段最大的挑战。产业需要的人才，不仅需要科研业务强、有一线工作经验的高素质工程师，还需要有前瞻性眼光的产业科学家，了解芯片行业的投资人。“未来需要进一步加强学科群建设，构建一个集技术、人才、产业于一体的完整生态圈，共同培育和推广。”冯丹说。

创新的本质是人才驱动，人是科技创新最关键的因素。从科技创新人才后备力量的输送来看，要培养未来的科技创新人才，必须培育科技创新的沃土。冯丹说，通过选拔学习成绩优异的中学生进入大学，在自然科学和基础学科的著名科学家的指导下参加科学研究、学术研讨会和科研实践，中学生可以感受名师的魅力，体验科研过程，可以进一步激发学生的科研热情，提高学生的创新能力。由中国科协和教育部主办的“英才计划”等科技教育项目，促进了中学教育与大学教育的衔接，是建立大中学联合发现和培养青年科技创新人才的有效模式，为青年科技创新人才的不断涌现和成长创造了良好的社会氛围。

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