场效应管参数大全(3006场效应管参数)

什么是场效应晶体管？场效应晶体管(FET)简称场效应晶体管。有两种主要类型:结型场效应晶体管(JFET)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS-FET)。FET的基本参数是什么？

(1)场效应晶体管的基本参数

①夹断电压UP，也称为截止栅电压UGS(OFF)，是耗尽结FET或耗尽绝缘栅FET的源极接地时，使漏源输出电流降至零所需的栅源电压UGS。

②开启电压UT，又称阀电压，是指当漏源电压UDS为某一值时，能使增强型绝缘栅FET的漏源开始导通的最小栅源电压UGS。

③饱和漏电流IDSS是偏置电压为零(即栅源电压UGS为零)且漏源电压UDS大于夹断电压Up时耗尽型FET的漏电流。

④击穿电压芽和缺陷

形容词（adjective的缩写）漏源击穿电压芽。又称漏源耐压，是FET的漏源电压UDS增大到一定值，使漏电流ID突然增大，不受栅极电压控制时的最大漏源电压。

B.栅源击穿电压缺陷。它是FET的栅极和源极之间的最大工作电压。

⑤耗散功率PD也叫漏极耗散功率，大约等于漏极-源极电压UDS和漏极电流ID的乘积。

⑥漏电流IGSS是FET的栅-沟道结加反向偏置电压时产生的反向电流。

⑦ DC输入电阻RGS也叫栅源绝缘电阻，是FET的栅-沟道在反向偏置电压作用下的电阻值，约等于栅-源电压UGS与栅电流之比。

⑧漏源RDS的动态电阻是漏源电压UDS的变化量与漏电流ID的变化量之比，一般为几千欧姆以上。

⑨低频跨导gm，也叫放大特性，是栅极电压UG对漏极电流ID的控制能力，类似于三极管的电流放大系数β值。

⑩电极间电容是FET两极间分布电容形成的杂散电容。栅电容(输入电容)CGS和栅漏电容cGD的电容为1~3pF，漏源电容CDS的电容为0.1~1pF。

场效应晶体管的主要参数

1.开启电压UT (MOSFET)

通常，在导电沟道刚刚形成之后对应于漏极的电流ID的栅源电压被称为导通电压，用UGS(th)或UT表示。

开启电压UT是MOS增强晶体管的一个参数。当栅源电压UGS小于导通电压的绝对值时，FET不能导通。

2.夹断电压上升(JFET)

当UDS为固定值(如10V)，ID等于小电流(如50mA)时，施加在栅极和源极之间的电压为夹断电压。当UGS=UP时，漏极电流为零。

3.饱和漏极电流IDSS (JFET)

饱和漏极电流IDSS是在UGS =0的条件下FET被预先夹断时的漏极电流。IDSS FET可以输出的最大电流。

4.DC输入电阻RGS

当施加漏源短路和栅源电压时，DC电阻RGS是栅极和源极之间的DC电阻。

结型场效应晶体管:RGS 107ωMOS晶体管:RGS 109 ~ 1015ω

5.跨导Gm

漏极电流的微小变化与栅源电压的微小变化之比，即gm=△ID/△UGS。是衡量FET栅源电压对漏电流控制能力的参数。Gm相当于三极管的hFE。

6.最大消耗功率

最大漏极功耗PD=UDSID，相当于三极管的PCM。以上激素场效应晶体管常见参数的分析，希望对你有所帮助。