正如2022年闪存峰会和2022年三星内存技术日所承诺的那样，三星电子今天宣布，已经开始量产业界位密度最高的1Tb三层单元(TLC)第八代垂直NAND(V-NA
正如2022年闪存峰会和2022年三星内存技术日所承诺的那样，三星电子今天宣布，已经开始量产业界位密度最高的1Tb三层单元(TLC)第八代垂直NAND(V-NAND)。新的V-NAND颗粒的单位容量为1Tb，这是迄今为止业界最高的存储容量。可以在全球下一代企业服务器系统中实现更大的存储空间空。
三星电子闪存产品和技术执行副总裁SungHoi Hur表示，“随着市场对更密集和更大存储的需求推动更高的V-NAND层，三星采用了先进的3D缩放技术来降低表面积和高度，同时避免了通常在缩小规模时出现的单元间干扰。我们的第八代V-NAND将有助于满足快速增长的市场需求，并使我们能够更好地提供更加差异化的产品和解决方案，这将是未来存储创新的基础。”
三星通过大幅提高每个晶圆的位生产率，实现了业界最高的容量密度。基于最新的NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口，三星第八代V-NAND的输入输出(I/O)速度可达2.4千兆位每秒(Gbps)，比上一代提升1.2倍。这将使新的V-NAND能够满足PCIe 4.0和后来的PCIe 5.0的性能要求。
第八代V-NAND有望成为存储配置的基石，帮助扩展下一代企业服务器的存储容量，同时将其应用扩展到对可靠性有特殊要求的汽车市场。
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