元器件封装形式(贴片元器件封装形式)

1.BGA(ballgridarray)球接触显示器,表面贴装封装之一。在印刷基板的背面制作球形凸点代替引脚,在印刷基板的正面组装LSI芯片,然后用模塑树脂或灌

1.BGA(ballgridarray)球接触显示器,表面贴装封装之一。在印刷基板的背面制作球形凸点代替引脚,在印刷基板的正面组装LSI芯片,然后用模塑树脂或灌封密封。也称为凸块展示载体(PAC)。引脚数可以超过200,是多引脚LSI的封装。封装体也可以做得比QFP小(四边扁平封装)。

比如一个360引脚的BGA,引脚中心距1.5mm,只有31mm见方;而引脚中心距为0.5毫米的304引脚QFP为40毫米见方。而且BGA不用像QFP那样担心管脚变形。这个软件包是由美国摩托罗拉公司开发的。它首先用于便携式电话和其他设备,未来可能会在美国的个人电脑中普及。起初BGA的引脚(凸点)中心距为1.5mm,引脚数为225个。现在一些LSI厂商正在开发500针BGA。BGA的问题是回流焊后的外观检查。尚不清楚它是否是一种有效的外观检查方法。是的,因为焊接中心之间的距离很大,所以可以认为连接是稳定的,只能通过功能检查来处理。美国摩托罗拉公司把用模塑树脂密封的封装称为OMPAC,而用灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC和GPAC)。

2.BQFP(quadflatpackagewithfumber)带坐垫的四边扁平包装。作为QFP封装的一种,在封装体的四个角上设置了凸点(缓冲垫),以防止引脚在运输过程中弯曲变形。美国的半导体制造商主要在微处理器和ASIC电路中使用这种封装。引脚间距为0.635毫米,引脚数量范围为84至196(见QFP)。

3.对接焊PGA(对接焊射线)表面贴装PGA的另一个名称(见表面贴装PGA)。

4.C-(陶瓷)表示陶瓷包装的标志。例如,CDIP代表陶瓷蘸酱。这是一个在实践中经常使用的标志。

5.Cerdip是一种玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ECLRAM、DSP(数字信号处理器)等电路。带玻璃窗的Cerdip用于紫外擦除EPROM和内置EPROM的微机电路。引脚间距为2.54mm,引脚数量从8到42不等。在日本,这种封装被称为DIP-G(G表示玻璃密封)。

6.Cerquad表面贴装封装之一,即具有下密封的陶瓷QFP,用于封装DSP等逻辑LSI电路。带窗口的Cerquad用于封装EPROM电路。散热比塑料QFP好,自然空寒冷条件下可以允许1.5 ~ 2W的功率。但包装成本比塑料QFP高3 ~ 5倍。引脚间距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等规格。管脚的数量从32到368。

7.CLCC(陶瓷芯片载体)是一种带引脚的陶瓷芯片载体,是表面贴装封装的一种。引脚从封装的四个侧面引出,呈T形。窗口用于封装紫外可擦EPROM和带有EPROM的微机电路。这个包也叫做QFJ,QFJ-G(见QFJ)

8.COB(chip on board chip on board Package)是裸芯片安装技术之一。半导体芯片被移交并安装在印刷电路板上,并且芯片和基板之间的电连接通过线缝合来实现。芯片和基板之间的电连接通过线缝合实现,并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是最简单的裸片贴装技术,但其封装密度远不及TAB和倒装焊技术。

9.DFP(dualflatpackage)是一种带有双面引脚的扁平封装。是SOP的别称(参见SOP)。以前叫这个名词,现在基本不用了。

10.DIC(DIC(dualin-line ceramic package)是陶瓷DIP(包括玻璃密封)的别称(见DIP)。

1.DIL(双列直插式)DIP的另一个名称(参见DIP)。欧洲半导体制造商经常使用这个名称。

12、双列直插式封装.双列直插式封装。插件封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料为塑料和陶瓷。DIP是最受欢迎的插件封装,其应用包括标准逻辑ic、存储器LSI、微型计算机电路等。引脚间距为2.54mm,引脚数量从6到64不等。包装宽度通常为15.2毫米..一些宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为skinnyDIP和slimDIP。但大多数情况下,并没有区分,简单的称为DIP。另外,用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也叫cerdip(见cerdip)。

13.DSO(DSO(dualsmalout-lint)双面引脚小型封装。SOP的别称(见SOP)。一些半导体制造商采用这个名称。

14.DICP(双孔载体封装)双面引线带负载封装。TCP(负载封装)之一。引脚制作在绝缘带上,从封装的两侧引出。由于采用TAB(自动加载焊接)技术,封装非常薄。常用于液晶显示驱动LSI,但多为固定产品。此外,0.5mm厚的存储器LSI的薄封装正处于开发阶段。在日本,根据EIAJ(日本电子机械工业协会)的标准,DICP被命名为DTP。

15.DIP(dualtapecarrierpackage)同上。日本电子机械工业协会标准中DTCP的命名法(见DTCP)。

16.FP(扁平封装)扁平封装。表面贴装封装之一。QFP或SOP的别称(参见QFP和SOP)。一些半导体制造商采用这个名称。

17.倒装芯片反焊芯片。裸芯片封装技术之一是在LSI芯片的电极区域制作金属凸点,然后将金属凸点与印刷基板上的电极区域键合。封装的尺寸与芯片尺寸基本相同。它是所有封装技术中最小最薄的。但是,如果基板的热膨胀系数与LSI芯片的热膨胀系数不同,那么在接合处就会产生反作用,影响连接的可靠性。因此,必须使用树脂来加固LSI芯片,并且必须使用热膨胀系数基本相同的基板材料。

18.FQFP(finepactquadflatpackage)小销中心距QFP。一般情况下,导向销的中心距小于0.65毫米(见QFP)。一些导体制造商采用这个名称。

19.CPAC(globetoppadarrycarrier)是美国摩托罗拉公司给出的BGA的另一个名称(见BGA)。

20.CQFP(带保护的方形扁平封装)带保护环的四边引脚扁平封装。塑料qfp之一,引脚覆盖有树脂保护环,以防止弯曲变形。在将LSI组装到印刷电路板上之前,从保护环上切下引脚,并使其成为鸥翼形(L形)。这种包装已由美国摩托罗拉公司批量生产。引脚间距为0.5毫米,最大引脚数约为208个。

21.H-(带散热器)表示带散热器的标记。例如,HSOP代表带散热器的SOP。

22.pingridarray(surfacemounttype)表面贴装PGA。PGA通常为插件封装,引脚长度约为3.4mm,表面贴装PGA在封装底部有显示引脚,其长度在1.5mm至2.0 mm之间,采用与印刷基板凸点焊接的方式,因此也称为凸点焊接PGA。因为引脚中心距只有1.27mm,比插件PGA小一半,所以封装体可以做得很小,引脚数比插件PGA多(250 ~ 528),所以是大规模逻辑LSI的封装。封装基板具有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基底。由多层陶瓷基板制成的封装已经投入使用。

23.JLCC(JLCC)J形引线芯片载体。指CLCC与windows和QFJ与windows的别称(见CLCC和QFJ)。一些半导体制造商采用的名称。

24.无引线芯片载体。它指的是陶瓷基板四边只有电极而没有引脚的表面贴装封装。

这是一种高速高频集成电路封装,也称为陶瓷QFN或QFN-C(见QFN)。

25.LGA(landgridarray)接触展示和包装。也就是说,在底表面上制造具有阵列状态扁平电极触点的封装。组装时,插上插座即可。目前,具有227个触点(1.27毫米中心距)和447个触点(2.54毫米中心距)的陶瓷LGA已用于高速逻辑LSI电路中。与QFP相比,LGA可以在更小的封装中容纳更多的输入和输出引脚。另外,由于引线的阻抗很小,非常适合高速LSI。但由于插座制作复杂,成本高,现在基本不用了。预计将来对它的需求会增加。

26.片上引脚封装。LSI封装技术之一,引线框架前端在芯片上方,芯片中心附近制作凸点,通过引线拼接实现电连接的结构。与引线框架靠近芯片侧面布置的原始结构相比,容纳在相同尺寸封装中的芯片具有大约1mm的宽度。

27.LQFP(lowprofilequadflatpackage)瘦QFP。封装体厚度为1.4毫米的QFP是日本电子机械工业协会根据新的QFP轮廓规格使用的名称。

28.L-QUAD陶瓷qfp之一。用于封装基板的氮化铝热导率比氧化铝高7 ~ 8倍,散热性更好。封装框架由氧化铝制成,芯片通过灌封方法密封,从而抑制了成本。是为logic LSI开发的封装,可以在自然空冷条件下耐受W3功率。目前已开发出208针(0.5mm中心距)和160针(0.65mm中心距)LSI逻辑封装,并于1993年10月投入量产。

29.MCM(多芯片模块)多芯片模块。一种封装,其中多个半导体裸芯片被组装在布线基板上。按基板材料可分为三类:MCM-L、MCM-C、MCM-D。

MCM-L是使用普通玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不是很高,成本低。

MCM-C是以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)为基板,通过厚膜技术形成多层布线的组件,类似于使用多层陶瓷基板的厚膜混合ic。两者没有明显区别。布线密度高于MCM-1..

MCM-D是通过薄膜技术和陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si或Al作为衬底形成的具有多层布线的组件。

布线是三个组件中最高的,但成本也很高。

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