技术路线(技术路线图用word怎么做)

美国当地时间5月12日，内存制造商美光科技(Micron Technology)举行投资者日(Investor Day)，展示了DRAM和NAND的未来技术路线图，并宣布试行新的定价机制“远期定价协议”，以稳定内存行业的价格。

技术路线(技术路线图用word怎么做)插图

技术路线图曝光

1β DRAM和232层3D NAND将亮相。

美光已经出货了1α DRAM和176层NAND闪存。这两类产品的良率都很优秀，第一季度的总出货量占美光总出货量的绝大部分。

在最新的技术路线图中，美光表示将继续在DRAM领域的1β、1γ、1δ工艺上发力。美光计划在2022年底前推出1β DRAM产品，将为图形、HBM3、汽车等领域提供良好的性能。美光希望通过1β DRAM产品不断提升公司在DDR5和LPDDR5的地位。

至于1γ和1δ的工艺时间节点，美光还没有公布。该公司表示，EUV技术将被引入1γ DRAM工艺。

NAND闪存方面，继176层NAND闪存之后，美光的工艺节点依次为232层、2YY、3XX、4XX。

其中，美光将于2022年底推出232层NAND产品。据悉，美光的232层NAND闪存采用3D TLC架构，原始容量为1Tb(128GB)。基于Micron的CuA架构，并使用NAND串堆叠技术，两个3D NAND阵列构建在彼此之上。预计232层NAND闪存芯片发布后，美光将于2023年推出搭载该芯片的SSD产品。

维持稳定的内存价格。

美光将试行“远期定价协议”

在投资者日活动上，美光还宣布试行新的定价机制“远期定价协议”，旨在解决半导体行业价格剧烈波动的问题。美光透露，前十大客户中有一家已经与美光签订了至少三年的合同，预计每年将带来超过5亿美元的收入。

据CBO·苏米特·萨达纳称，这种定价策略目前仍处于“试验阶段”。长期客户基于购买量而非价格，但远期价格协议将涵盖交易量和定价。

目前，内存市场受到疫情、国际形势变化、高通胀等因素的困扰。全球市场研究机构TrendForce Group Consulting的最新调查显示，受俄乌冲突和高通胀影响，预计第二季度DRAM价格将下跌0~5%。

至于NAND Flash，原本预计Kioxia污染事件可能会导致二至三季度市场形势趋紧。然而，在高通胀和俄乌冲突的影响下，市场对下半年传统旺季消费品需求的看法已经趋于保守。集邦咨询预计，第二季度NAND Flash价格将上涨5-10%，第三季度仅小幅上涨0-5%左右。

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